arXiv ID:
2603.23576
arXiv 提交日期: 2026-03-24
基于Time-LLM的时间序列晶圆级刻蚀空间分布剖面用于工艺监控 / Wafer-Level Etch Spatial Profiling for Process Monitoring from Time-Series with Time-LLM
1️⃣ 一句话总结
这篇论文提出了一种基于大语言模型(Time-LLM)的新方法,能够直接利用生产过程中的多通道时间序列数据,来预测整个晶圆上刻蚀深度的二维空间分布,从而实现对等离子刻蚀工艺更精细、更有效的监控。